IRF7665S2 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRF7665S2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7665S2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 112 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.062 Ohm

Encapsulados: DIRECTFET

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IRF7665S2 datasheet

..1. Size:247K international rectifier
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PD - 96239 DIGITAL AUDIO MOSFET IRF7665S2TRPbF IRF7665S2TR1PbF Features Key Parameters Key parameters optimized for Class-D audio amplifier VDS 100 V applications RDS(on) typ. @ VGS = 10V 51 m Low RDS(on) for improved efficiency Low Qg for better THD and improved efficiency Qg typ. 8.3 nC Low Qrr for better THD and lower EMI RG(int) typ. 3.5 Low package st

0.1. Size:244K international rectifier
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0.2. Size:326K international rectifier
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PD - 96286B AUIRF7665S2TR AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7665S2TR1 DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 100V Optimized for Class D Audio Amplifier Applications Low Rds(on) for Improved Efficiency RDS(on) typ. 51m Low Qg for Better THD and Improved Efficiency max. 62m Low Qrr for Better THD and Lower EMI RG (typical) 3.5 Low P

0.3. Size:474K infineon
auirf7665s2tr.pdf pdf_icon

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7665S2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 100V Optimized for Class D Audio Amplifier Applications Low Rds(on) for Improved Efficiency RDS(on) typ. 51m Low Qg for Better THD and Improved Efficiency max. 62m Low Qrr for Better THD and Lower EMI RG (typical) 3.5 Low Parasiti

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