IRF7665S2. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF7665S2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 6.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 112 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.062 Ohm
Тип корпуса: DIRECTFET
Аналог (замена) для IRF7665S2
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF7665S2 даташит
irf7665s2pbf.pdf
PD - 96239 DIGITAL AUDIO MOSFET IRF7665S2TRPbF IRF7665S2TR1PbF Features Key Parameters Key parameters optimized for Class-D audio amplifier VDS 100 V applications RDS(on) typ. @ VGS = 10V 51 m Low RDS(on) for improved efficiency Low Qg for better THD and improved efficiency Qg typ. 8.3 nC Low Qrr for better THD and lower EMI RG(int) typ. 3.5 Low package st
irf7665s2tr1pbf irf7665s2trpbf.pdf
PD - 96239 DIGITAL AUDIO MOSFET IRF7665S2TRPbF IRF7665S2TR1PbF Features Key Parameters Key parameters optimized for Class-D audio amplifier VDS 100 V applications RDS(on) typ. @ VGS = 10V 51 m Low RDS(on) for improved efficiency Low Qg for better THD and improved efficiency Qg typ. 8.3 nC Low Qrr for better THD and lower EMI RG(int) typ. 3.5 Low package st
auirf7665s2tr.pdf
PD - 96286B AUIRF7665S2TR AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7665S2TR1 DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 100V Optimized for Class D Audio Amplifier Applications Low Rds(on) for Improved Efficiency RDS(on) typ. 51m Low Qg for Better THD and Improved Efficiency max. 62m Low Qrr for Better THD and Lower EMI RG (typical) 3.5 Low P
auirf7665s2tr.pdf
AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7665S2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 100V Optimized for Class D Audio Amplifier Applications Low Rds(on) for Improved Efficiency RDS(on) typ. 51m Low Qg for Better THD and Improved Efficiency max. 62m Low Qrr for Better THD and Lower EMI RG (typical) 3.5 Low Parasiti
Другие IGBT... IRF7478Q, IRF7488, IRF7490, IRF7492, IRF7493, IRF7494, IRF7495, IRF7607, 10N60, IRF7805, IRF7749L2, IRF7759L2, IRF7769L2, IRF7779L2, IRF7799L2, IRF7805A, IRF7805Q
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
tta004b | 2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302




