BF960 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BF960
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8.5 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.02 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.8 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 200 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT103
- Selección de transistores por parámetros
BF960 Datasheet (PDF)
bf960.pdf

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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: D120N10ZR | D110N04 | D10N70 | 18P10I | 18P10F | 18P10E | 18P10D | 18P10B | 18P10 | D9N65 | D8N50 | D80N06 | D7N70 | D7N60 | D740 | D640
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