BF960 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BF960
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.02 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 0.8 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm
Тип корпуса: SOT103
BF960 Datasheet (PDF)
bf960.pdf
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Res
Другие MOSFET... BF908 , BF908R , BF908WR , BF909 , BF909A , BF909R , BF909WR , BF910 , 2N60 , BF960S , BF961 , BF963 , BF964 , BF964S , BF965 , BF966 , BF966S .
History: STP50N05LFI
History: STP50N05LFI
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918