IRF7769L2 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRF7769L2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7769L2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm

Encapsulados: DIRECTFET

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IRF7769L2 datasheet

0.1. Size:270K international rectifier
auirf7769l2.pdf pdf_icon

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7769L2TR Automotive DirectFET Power MOSFET V(BR)DSS Advanced Process Technology 100V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and RDS(on) typ. 2.8m other Heavy Load Applications Exceptionally Small Footprint and Low Profile max. 3.5m High Power Density ID (Silicon Limited) 124A Low Parasitic Parameters Qg 200nC Dual Sid

0.2. Size:235K international rectifier
irf7769l2tr1pbf irf7769l2trpbf.pdf pdf_icon

PD - 97413B IRF7769L2TRPbF IRF7769L2TR1PbF DirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant, Halogen Free Typical values (unless otherwise specified) l Lead-Free (Qualified up to 260 C Reflow) l Ideal for High Performance Isolated Converter VDSS VGS RDS(on) Primary Switch Socket 100V min 20V max 2.8m @ 10V l Optimized for Synchronous Rectification Qg tot Qgd Vgs(th) l Low Co

0.3. Size:448K infineon
auirf7769l2tr.pdf pdf_icon

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7769L2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 100V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and other Heavy Load Applications RDS(on) typ. 2.8m Exceptionally Small Footprint and Low Profile max. 3.5m High Power Density ID (Silicon Limited) 124A Low Parasitic Parameters Qg (typ

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