IRF7854 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF7854
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0134 Ohm
Encapsulados: SO8
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IRF7854 datasheet
irf7854pbf.pdf
PD - 97172 IRF7854PbF HEXFET Power MOSFET Applications l Primary Side Switch in Bridge or two- VDSS RDS(on) max ID switch forward topologies using 48V 13.4m @VGS = 10V 80V 10A ( 10%) or 36V to 60V ETSI range inputs. l Secondary Side Synchronous Rectification Switch for 12Vout A l Suitable for 48V Non-Isolated A 1 8 S D Synchronous Buck DC-DC Applications 2 7 S D 3 6 Bene
irf7853pbf.pdf
PD - 97069 IRF7853PbF HEXFET Power MOSFET Applications l Primary Side Switch in Bridge Topology VDSS RDS(on) max ID in Universal Input (36-75Vin) Isolated 18m @VGS = 10V 100V 8.3A DC-DC Converters l Primary Side Switch in Push-Pull Topology for 18-36Vin Isolated DC-DC A Converters A 1 8 S D l Secondary Side Synchronous 2 7 Rectification Switch for 15Vout S D l Suitable
irf7855pbf.pdf
PD - 97173A IRF7855PbF HEXFET Power MOSFET Applications l Primary Side Switch in Bridge Topology VDSS RDS(on) max ID in Isolated DC-DC Converters 9.4m @VGS = 10V 60V 12A l Primary Side Switch in Push-Pull Topology for 18-36Vin Isolated DC-DC Converters l Secondary Side Synchronous A A Rectification Switch for 15Vout 1 8 S D l Suitable for 48V Non-Isolated 2 7 S D Synchron
irf7855.pdf
SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET IRF7855 (KRF7855) SOP-8 Features VDS (V) = 60V ID = 12 A (VGS = 10V) RDS(ON) 9.4m (VGS = 10V) A 1.50 0.15 A 1 8 S D 2 7 S D 1 Source 5 Drain 6 Drain 3 6 2 Source S D 7 Drain 3 Source 4 8 Drain 5 4 Gate G D Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate
Otros transistores... IRF7815 , IRF7821 , IRF7828 , IRF7831 , IRF7832 , IRF7834 , IRF7842 , IRF7853 , IRF1010E , IRF7855 , IRF7862 , IRF8010 , IRF8010L , IRF8010S , IRF8113 , IRF8113G , IRF8252 .
History: 2SK3058 | DMT8012LK3 | SM4033NHU | SPB80N06S2L-07 | FHP630A | 8N90A | LPN1010C
History: 2SK3058 | DMT8012LK3 | SM4033NHU | SPB80N06S2L-07 | FHP630A | 8N90A | LPN1010C
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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