IRFB61N15D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFB61N15D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 330 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 690 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFB61N15D

IRFB61N15D Datasheet (PDF)

..1. Size:211K international rectifier
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PD- 94207SMPS MOSFETIRFB61N15DHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters150V 0.032 60A Motor Control Uninterrutible Power SuppliesBenefits Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Losses Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Vo

..2. Size:170K international rectifier
irfb61n15dpbf.pdf

PD- 95621SMPS MOSFETIRFB61N15DPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl High frequency DC-DC converters150V 0.032 60Al Motor Controll Uninterrutible Power Suppliesl Lead-FreeBenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)l Fully Char

..3. Size:170K infineon
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..4. Size:245K inchange semiconductor
irfb61n15d.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB61N15DIIRFB61N15DFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 32mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency DC-DC convertersUninterruptible Power SuppliesABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

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Liste

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