IRFH6200 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFH6200
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 49 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 74 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2890 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00099 Ohm
Encapsulados: PQFN5X6
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IRFH6200 datasheet
irfh6200pbf.pdf
IRFH6200TRPbF HEXFET Power MOSFET VDS 20 V RDS(on) max 0.99 m (@VGS = 4.5V) Qg (typical) 155 nC RG (typical) 1.3 ID 100 A PQFN 5X6 mm (@Tmb = 25 C) Applications Charge and discharge switch for battery application Load switch for 12V (typical) bus Features and Benefits Features Benefits Low RDSon ( 0.99m Lower Conduction Losses Low Thermal
irfh6200trpbf.pdf
IRFH6200TRPbF HEXFET Power MOSFET VDS 20 V RDS(on) max 0.99 m (@VGS = 4.5V) (@VGS = 2.5V) 1.50 Qg (typical) 155 nC RG (typical) 1.3 ID 100 A (@Tmb = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Charge and discharge switch for battery application Load switch for 12V (typical) bus Hot-Swap Switch Features Benefits Low RDSon ( 0.99m ) Lower Conduction Losses Low The
irfh6200trpbf.pdf
IRFH6200TRPbF HEXFET Power MOSFET VDS 20 V RDS(on) max 0.99 m (@VGS = 4.5V) (@VGS = 2.5V) 1.50 Qg (typical) 155 nC RG (typical) 1.3 ID 100 A (@Tmb = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Charge and discharge switch for battery application Load switch for 12V (typical) bus Hot-Swap Switch Features Benefits Low RDSon ( 0.99m ) Lower Conduction Losses Low The
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