IRFH6200 Todos los transistores

 

IRFH6200 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFH6200
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 49 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 74 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2890 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00099 Ohm
   Paquete / Cubierta: PQFN5X6
 

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IRFH6200 datasheet

 ..1. Size:215K  international rectifier
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IRFH6200

IRFH6200TRPbF HEXFET Power MOSFET VDS 20 V RDS(on) max 0.99 m (@VGS = 4.5V) Qg (typical) 155 nC RG (typical) 1.3 ID 100 A PQFN 5X6 mm (@Tmb = 25 C) Applications Charge and discharge switch for battery application Load switch for 12V (typical) bus Features and Benefits Features Benefits Low RDSon ( 0.99m Lower Conduction Losses Low Thermal ... See More ⇒

 0.1. Size:264K  1
 irfh6200trpbf.pdf pdf_icon

IRFH6200

IRFH6200TRPbF HEXFET Power MOSFET VDS 20 V RDS(on) max 0.99 m (@VGS = 4.5V) (@VGS = 2.5V) 1.50 Qg (typical) 155 nC RG (typical) 1.3 ID 100 A (@Tmb = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Charge and discharge switch for battery application Load switch for 12V (typical) bus Hot-Swap Switch Features Benefits Low RDSon ( 0.99m ) Lower Conduction Losses Low The... See More ⇒

 0.2. Size:264K  international rectifier
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IRFH6200

IRFH6200TRPbF HEXFET Power MOSFET VDS 20 V RDS(on) max 0.99 m (@VGS = 4.5V) (@VGS = 2.5V) 1.50 Qg (typical) 155 nC RG (typical) 1.3 ID 100 A (@Tmb = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Charge and discharge switch for battery application Load switch for 12V (typical) bus Hot-Swap Switch Features Benefits Low RDSon ( 0.99m ) Lower Conduction Losses Low The... See More ⇒

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