IRFL014N Todos los transistores

 

IRFL014N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFL014N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm

Encapsulados: SOT223

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IRFL014N datasheet

 ..1. Size:158K  international rectifier
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IRFL014N

PD- 95352 IRFL014NPbF HEXFET Power MOSFET l Surface Mount l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance VDSS = 55V l Dynamic dv/dt Rating l Fast Switching RDS(on) = 0.16 l Fully Avalanche Rated G l Lead-Free ID = 1.9A S Description Fifth Generation HEXFET MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on

 ..2. Size:144K  international rectifier
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IRFL014N

PD- 92003A IRFL014N HEXFET Power MOSFET Surface Mount D Advanced Process Technology VDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating RDS(on) = 0.16 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 1.9A S Description Fifth Generation HEXFET MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silic

 0.1. Size:215K  international rectifier
auirfl014n.pdf pdf_icon

IRFL014N

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFL014N HEXFET Power MOSFET Features Advanced Planar Technology D Low On-Resistance V(BR)DSS 55V Dynamic dV/dT Rating 150 C Operating Temperature RDS(on) max. 0.16 G Fast Switching Fully Avalanche Rated S Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 1.9A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D Description Specifically designed f

 7.1. Size:176K  international rectifier
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IRFL014N

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