BF992 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BF992
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.04 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 100 Ohm
Paquete / Cubierta: TO253
- Selección de transistores por parámetros
BF992 Datasheet (PDF)
bf992 bf992r 1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF992; BF992RSilicon N-channel dual-gateMOS-FETsProduct specification 1996 Jul 30Supersedes data of April 1991File under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationSilicon N-channel dual-gate MOS-FETs BF992; BF992RAPPLICATIONShandbook, halfpaged VHF applications such as VHF television tuners and FM4 3
bf992 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D071BF992Silicon N-channel dual gateMOS-FETProduct specification 1999 Aug 11Supersedes data of 1996 Jul 30Philips Semiconductors Product specificationSilicon N-channel dual gate MOS-FET BF992APPLICATIONS PINNING VHF applications such as VHF television tuners and FMPIN SYMBOL DESCRIPTIONtuners with 12 V supply voltage. The device i
Otros transistores... BF981 , BF982 , BF988 , BF989 , BF989S , BF990 , BF990A , BF991 , IRFP064N , BF992R , BF993 , BF994 , BF994S , BF994SR , BF995 , BF996 , BF996S .
History: IXTP50N28T | 3SK249
History: IXTP50N28T | 3SK249
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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