BF992. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BF992

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.04 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm

Тип корпуса: TO253

Аналог (замена) для BF992

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BF992 даташит

 ..1. Size:77K  philips
 bf992 bf992r 1.pdf pdf_icon

BF992

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF992; BF992R Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs Product specification 1996 Jul 30 Supersedes data of April 1991 File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs BF992; BF992R APPLICATIONS handbook, halfpage d VHF applications such as VHF television tuners and FM 4 3

 ..2. Size:69K  philips
 bf992 3.pdf pdf_icon

BF992

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D071 BF992 Silicon N-channel dual gate MOS-FET Product specification 1999 Aug 11 Supersedes data of 1996 Jul 30 Philips Semiconductors Product specification Silicon N-channel dual gate MOS-FET BF992 APPLICATIONS PINNING VHF applications such as VHF television tuners and FM PIN SYMBOL DESCRIPTION tuners with 12 V supply voltage. The device i

Другие IGBT... BF981, BF982, BF988, BF989, BF989S, BF990, BF990A, BF991, EMB04N03H, BF992R, BF993, BF994, BF994S, BF994SR, BF995, BF996, BF996S