BF992R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BF992R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.04 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 100 Ohm

Encapsulados: SOT143R

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BF992R datasheet

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BF992R

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF992; BF992R Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs Product specification 1996 Jul 30 Supersedes data of April 1991 File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs BF992; BF992R APPLICATIONS handbook, halfpage d VHF applications such as VHF television tuners and FM 4 3

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BF992R

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D071 BF992 Silicon N-channel dual gate MOS-FET Product specification 1999 Aug 11 Supersedes data of 1996 Jul 30 Philips Semiconductors Product specification Silicon N-channel dual gate MOS-FET BF992 APPLICATIONS PINNING VHF applications such as VHF television tuners and FM PIN SYMBOL DESCRIPTION tuners with 12 V supply voltage. The device i

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