BF992R Todos los transistores

 

BF992R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BF992R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.04 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 100 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT143R
 

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BF992R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:77K  philips
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BF992R

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF992; BF992RSilicon N-channel dual-gateMOS-FETsProduct specification 1996 Jul 30Supersedes data of April 1991File under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationSilicon N-channel dual-gate MOS-FETs BF992; BF992RAPPLICATIONShandbook, halfpaged VHF applications such as VHF television tuners and FM4 3

 9.1. Size:69K  philips
 bf992 3.pdf pdf_icon

BF992R

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D071BF992Silicon N-channel dual gateMOS-FETProduct specification 1999 Aug 11Supersedes data of 1996 Jul 30Philips Semiconductors Product specificationSilicon N-channel dual gate MOS-FET BF992APPLICATIONS PINNING VHF applications such as VHF television tuners and FMPIN SYMBOL DESCRIPTIONtuners with 12 V supply voltage. The device i

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History: BLF6G15LS-500H | BUZ905D

 

 
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