BF992R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BF992R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.04 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 100 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT143R
Búsqueda de reemplazo de BF992R MOSFET
BF992R Datasheet (PDF)
bf992 bf992r 1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF992; BF992RSilicon N-channel dual-gateMOS-FETsProduct specification 1996 Jul 30Supersedes data of April 1991File under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationSilicon N-channel dual-gate MOS-FETs BF992; BF992RAPPLICATIONShandbook, halfpaged VHF applications such as VHF television tuners and FM4 3
bf992 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D071BF992Silicon N-channel dual gateMOS-FETProduct specification 1999 Aug 11Supersedes data of 1996 Jul 30Philips Semiconductors Product specificationSilicon N-channel dual gate MOS-FET BF992APPLICATIONS PINNING VHF applications such as VHF television tuners and FMPIN SYMBOL DESCRIPTIONtuners with 12 V supply voltage. The device i
Otros transistores... BF982 , BF988 , BF989 , BF989S , BF990 , BF990A , BF991 , BF992 , RU7088R , BF993 , BF994 , BF994S , BF994SR , BF995 , BF996 , BF996S , BF996SR .
History: DH025N03I
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