IRFU13N20D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFU13N20D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 25 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.235 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFU13N20D

IRFU13N20D Datasheet (PDF)

..1. Size:684K international rectifier
irfr13n20dpbf irfu13n20dpbf.pdf

PD-95354ASMPS MOSFETIRFR13N20DPbFIRFU13N20DPbF Lead-Freewww.irf.com 11/17/05IRFR/U13N20DPbF2 www.irf.comIRFR/U13N20DPbFwww.irf.com 3IRFR/U13N20DPbF4 www.irf.comIRFR/U13N20DPbFwww.irf.com 5IRFR/U13N20DPbF6 www.irf.comIRFR/U13N20DPbFwww.irf.com 7IRFR/U13N20DPbFD-Pak (TO-252AA) Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)D-Pak (T

..2. Size:684K infineon
irfr13n20dpbf irfu13n20dpbf.pdf

..3. Size:261K inchange semiconductor
irfu13n20d.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU13N20DFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

7.1. Size:222K international rectifier
irfu13n15dpbf irfr13n15dpbf.pdf

PD - 95549AIRFR13N15DPbF IRFU13N15DPbFSMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl High frequency DC-DC converters150V 0.18 14Al Lead-FreeBenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)l Fully Characterized Avalanche VoltageD-Pa

7.2. Size:260K inchange semiconductor
irfu13n15d.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU13N15DFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

8.1. Size:282K 1
irfu130a irfr130a.pdf

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Liste

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