IRFU13N20D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFU13N20D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.235 Ohm

Тип корпуса: IPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRFU13N20D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFU13N20D даташит

 ..1. Size:684K  international rectifier
 irfr13n20dpbf irfu13n20dpbf.pdf pdf_icon

IRFU13N20D

PD-95354A SMPS MOSFET IRFR13N20DPbF IRFU13N20DPbF Lead-Free www.irf.com 1 1/17/05 IRFR/U13N20DPbF 2 www.irf.com IRFR/U13N20DPbF www.irf.com 3 IRFR/U13N20DPbF 4 www.irf.com IRFR/U13N20DPbF www.irf.com 5 IRFR/U13N20DPbF 6 www.irf.com IRFR/U13N20DPbF www.irf.com 7 IRFR/U13N20DPbF D-Pak (TO-252AA) Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) D-Pak (T

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
 irfu13n20d.pdf pdf_icon

IRFU13N20D

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU13N20D FEATURES With TO-251(IPAK) packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE

 7.1. Size:222K  international rectifier
 irfu13n15dpbf irfr13n15dpbf.pdf pdf_icon

IRFU13N20D

PD - 95549A IRFR13N15DPbF IRFU13N15DPbF SMPS MOSFET HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID l High frequency DC-DC converters 150V 0.18 14A l Lead-Free Benefits l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) l Fully Characterized Avalanche Voltage D-Pa

 7.2. Size:260K  inchange semiconductor
 irfu13n15d.pdf pdf_icon

IRFU13N20D

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU13N15D FEATURES With TO-251(IPAK) packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFSL5615, IRFSL5620, IRFSL59N10D, IRFTS8342, IRFU1010Z, IRFU1018E, IRFU120Z, IRFU13N15D, AO3401, IRFU15N20D, IRFU18N15D, IRFU220N, IRFU2307Z, IRFU2405, IRFU2407, IRFU24N15D, IRFU2607Z