IRL7833S Todos los transistores

 

IRL7833S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRL7833S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 140 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 150 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.3 V

Carga de compuerta (Qg): 32 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0038 Ohm

Empaquetado / Estuche: D2PAK

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IRL7833S Datasheet (PDF)

1.1. irl7833pbf irl7833lpbf irl7833spbf.pdf Size:269K _international_rectifier

IRL7833S
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PD - 95270 IRL7833PbF IRL7833SPbF IRL7833LPbF Applications HEXFET® Power MOSFET l High Frequency Synchronous Buck VDSS RDS(on) max Qg Converters for Computer Processor Power l High Frequency Isolated DC-DC 30V 3.8m 32nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Consumer Use l Lead-Free Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Ultra-Low Gate Impedance TO-220A

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