IRL7833S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRL7833S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 32 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRL7833S

IRL7833S Datasheet (PDF)

..1. Size:269K international rectifier
irl7833pbf irl7833lpbf irl7833spbf.pdf

PD - 95270IRL7833PbFIRL7833SPbFIRL7833LPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Powerl High Frequency Isolated DC-DC30V 3.8m 32nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Consumer Usel Lead-FreeBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedance TO-220A

..2. Size:269K infineon
irl7833pbf irl7833spbf irl7833lpbf.pdf

..3. Size:270K inchange semiconductor
irl7833s.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRL7833SDESCRIPTIONStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 3.8m@V = 10VGS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .Provides the designer with an extremely efficient andreliable device for use in a wide variety of applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATING

7.1. Size:246K inchange semiconductor
irl7833.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRL7833IIRL7833FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 3.8mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM R

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: