IRL7833S. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRL7833S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для IRL7833S
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRL7833S даташит
irl7833pbf irl7833lpbf irl7833spbf.pdf
PD - 95270 IRL7833PbF IRL7833SPbF IRL7833LPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Frequency Synchronous Buck VDSS RDS(on) max Qg Converters for Computer Processor Power l High Frequency Isolated DC-DC 30V 3.8m 32nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Consumer Use l Lead-Free Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Ultra-Low Gate Impedance TO-220A
irl7833pbf irl7833spbf irl7833lpbf.pdf
PD - 95270 IRL7833PbF IRL7833SPbF IRL7833LPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Frequency Synchronous Buck VDSS RDS(on) max Qg Converters for Computer Processor Power l High Frequency Isolated DC-DC 30V 3.8m 32nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Consumer Use l Lead-Free Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Ultra-Low Gate Impedance TO-220A
irl7833s.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRL7833S DESCRIPTION Static drain-source on-resistance RDS(on) 3.8m @V = 10V GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS . Provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATING
irl7833.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRL7833 IIRL7833 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 3.8m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM R
Другие MOSFET... IRL3715Z , IRL3715ZL , IRL3715ZS , IRL3803V , IRL3803VS , IRL6342 , IRL7833 , IRL7833L , IRF840 , IRL8113 , IRL8113L , IRL8113S , IRLB3034 , IRLB3036 , IRLB3036G , IRLB3813 , IRLB4030 .
History: APQ08SN50B | APQ08SN50BH | SM3023NSV | APQ07SN65AF
History: APQ08SN50B | APQ08SN50BH | SM3023NSV | APQ07SN65AF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent


