IRLB3034 Todos los transistores

 

IRLB3034 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLB3034

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 375 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 343 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 108 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0017 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220AB

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IRLB3034 Datasheet (PDF)

1.1. irlb3034pbf.pdf Size:291K _international_rectifier

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PD -97363 IRLB3034PbF HEXFET® Power MOSFET Applications D l DC Motor Drive VDSS 40V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 1.4m l Uninterruptible Power Supply max. 1.7m l High Speed Power Switching G ID (Silicon Limited) 343A l Hard Switched and High Frequency Circuits ID (Package Limited) 195A S Benefits l Optimized for Logic Level Drive l

3.1. irlb3036pbf.pdf Size:284K _international_rectifier

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PD - 97357 IRLB3036PbF HEXFET® Power MOSFET Applications D l DC Motor Drive VDSS 60V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 1.9mΩ l Uninterruptible Power Supply max. 2.4mΩ l High Speed Power Switching G ID (Silicon Limited) 270A l Hard Switched and High Frequency Circuits ID (Package Limited) S 195A Benefits l Optimized for Logic Level Drive

3.2. irlb3036gpbf.pdf Size:294K _international_rectifier

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PD - 96275 IRLB3036GPbF HEXFET® Power MOSFET Applications D l DC Motor Drive VDSS 60V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 1.9mΩ l Uninterruptible Power Supply max. 2.4mΩ l High Speed Power Switching G ID (Silicon Limited) 270A l Hard Switched and High Frequency Circuits ID (Package Limited) S 195A Benefits l Optimized for Logic Level Drive

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