IRLB3034 Todos los transistores

 

IRLB3034 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLB3034
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 343 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 827 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1980 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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Principales características: IRLB3034

 ..1. Size:291K  international rectifier
 irlb3034pbf.pdf pdf_icon

IRLB3034

PD -97363 IRLB3034PbF HEXFET Power MOSFET Applications D l DC Motor Drive VDSS 40V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 1.4m l Uninterruptible Power Supply max. 1.7m l High Speed Power Switching G ID (Silicon Limited) 343A l Hard Switched and High Frequency Circuits ID (Package Limited) 195A S Benefits l Optimized for Logic Level Drive l

 7.1. Size:294K  international rectifier
 irlb3036gpbf.pdf pdf_icon

IRLB3034

PD - 96275 IRLB3036GPbF HEXFET Power MOSFET Applications D l DC Motor Drive VDSS 60V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 1.9m l Uninterruptible Power Supply max. 2.4m l High Speed Power Switching G ID (Silicon Limited) 270A l Hard Switched and High Frequency Circuits ID (Package Limited) S 195A Benefits l Optimized for Logic Level Drive

 7.2. Size:284K  international rectifier
 irlb3036pbf.pdf pdf_icon

IRLB3034

PD - 97357 IRLB3036PbF HEXFET Power MOSFET Applications D l DC Motor Drive VDSS 60V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 1.9m l Uninterruptible Power Supply max. 2.4m l High Speed Power Switching G ID (Silicon Limited) 270A l Hard Switched and High Frequency Circuits ID (Package Limited) S 195A Benefits l Optimized for Logic Level Drive

 7.3. Size:250K  international rectifier
 auirlb3036.pdf pdf_icon

IRLB3034

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLB3036 HEXFET Power MOSFET Features D l Advanced Process Technology VDSS 60V l Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 1.9m l Logic Level Gate Drive max. 2.4m l Dynamic dv/dt Rating G ID (Silicon Limited) l 175 C Operating Temperature 270A l Fast Switching ID (Package Limited) S 195A l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax l Lead-Free, RoHS Compli

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