IRLB3034 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRLB3034  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 343 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 827 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1980 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRLB3034

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLB3034 даташит

 ..1. Size:291K  international rectifier
 irlb3034pbf.pdf pdf_icon

IRLB3034

PD -97363 IRLB3034PbF HEXFET Power MOSFET Applications D l DC Motor Drive VDSS 40V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 1.4m l Uninterruptible Power Supply max. 1.7m l High Speed Power Switching G ID (Silicon Limited) 343A l Hard Switched and High Frequency Circuits ID (Package Limited) 195A S Benefits l Optimized for Logic Level Drive l

 7.1. Size:294K  international rectifier
 irlb3036gpbf.pdf pdf_icon

IRLB3034

PD - 96275 IRLB3036GPbF HEXFET Power MOSFET Applications D l DC Motor Drive VDSS 60V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 1.9m l Uninterruptible Power Supply max. 2.4m l High Speed Power Switching G ID (Silicon Limited) 270A l Hard Switched and High Frequency Circuits ID (Package Limited) S 195A Benefits l Optimized for Logic Level Drive

 7.2. Size:284K  international rectifier
 irlb3036pbf.pdf pdf_icon

IRLB3034

PD - 97357 IRLB3036PbF HEXFET Power MOSFET Applications D l DC Motor Drive VDSS 60V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 1.9m l Uninterruptible Power Supply max. 2.4m l High Speed Power Switching G ID (Silicon Limited) 270A l Hard Switched and High Frequency Circuits ID (Package Limited) S 195A Benefits l Optimized for Logic Level Drive

 7.3. Size:250K  international rectifier
 auirlb3036.pdf pdf_icon

IRLB3034

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLB3036 HEXFET Power MOSFET Features D l Advanced Process Technology VDSS 60V l Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 1.9m l Logic Level Gate Drive max. 2.4m l Dynamic dv/dt Rating G ID (Silicon Limited) l 175 C Operating Temperature 270A l Fast Switching ID (Package Limited) S 195A l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax l Lead-Free, RoHS Compli

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRL3803VS, IRL6342, IRL7833, IRL7833L, IRL7833S, IRL8113, IRL8113L, IRL8113S, IRF540N, IRLB3036, IRLB3036G, IRLB3813, IRLB4030, IRLB8721, IRLB8743, IRLB8748, IRLH5030