IRLB3036 Todos los transistores

 

IRLB3036 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLB3036
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 380 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 270 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 220 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1020 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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IRLB3036 PDF Specs

 ..1. Size:284K  international rectifier
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IRLB3036

PD - 97357 IRLB3036PbF HEXFET Power MOSFET Applications D l DC Motor Drive VDSS 60V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 1.9m l Uninterruptible Power Supply max. 2.4m l High Speed Power Switching G ID (Silicon Limited) 270A l Hard Switched and High Frequency Circuits ID (Package Limited) S 195A Benefits l Optimized for Logic Level Drive ... See More ⇒

 ..2. Size:251K  inchange semiconductor
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IRLB3036

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRLB3036 IIRLB3036 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 2.4m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMU... See More ⇒

 0.1. Size:294K  international rectifier
irlb3036gpbf.pdf pdf_icon

IRLB3036

PD - 96275 IRLB3036GPbF HEXFET Power MOSFET Applications D l DC Motor Drive VDSS 60V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 1.9m l Uninterruptible Power Supply max. 2.4m l High Speed Power Switching G ID (Silicon Limited) 270A l Hard Switched and High Frequency Circuits ID (Package Limited) S 195A Benefits l Optimized for Logic Level Drive ... See More ⇒

 0.2. Size:250K  international rectifier
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IRLB3036

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLB3036 HEXFET Power MOSFET Features D l Advanced Process Technology VDSS 60V l Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 1.9m l Logic Level Gate Drive max. 2.4m l Dynamic dv/dt Rating G ID (Silicon Limited) l 175 C Operating Temperature 270A l Fast Switching ID (Package Limited) S 195A l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax l Lead-Free, RoHS Compli... See More ⇒

Otros transistores... IRL6342 , IRL7833 , IRL7833L , IRL7833S , IRL8113 , IRL8113L , IRL8113S , IRLB3034 , IRFP460 , IRLB3036G , IRLB3813 , IRLB4030 , IRLB8721 , IRLB8743 , IRLB8748 , IRLH5030 , IRLH5034 .

 

 
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