IRLB4030 Todos los transistores

 

IRLB4030 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLB4030

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 370 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 16 V

Corriente continua de drenaje (Id): 180 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 87 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0043 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220AB

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IRLB4030 Datasheet (PDF)

1.1. irlb4030pbf.pdf Size:280K _international_rectifier

IRLB4030
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PD - 97369 IRLB4030PbF Applications HEXFET® Power MOSFET l DC Motor Drive D l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS VDSS 100V l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching RDS(on) typ. 3.4mΩ l Hard Switched and High Frequency Circuits G max. 4.3m Ω ID 180A S Benefits l Optimized for Logic Level Drive l Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS l Superio

5.1. irlb4132.pdf Size:242K _international_rectifier

IRLB4030
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Approved (Not Released) PD - TBD IRLB4132PbF HEXFET® Power MOSFET Applications l Optimized for UPS/Inverter Applications VDSS RDS(on) max Qg l Low Voltage Power Tools 30V 3.5mΩ 36nC Benefits D l Best in Class Performance for UPS/Inverter Applications l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS S D l Ultra-Low Gate Impedance G l Fully Characterized Avalanche Voltage TO-220AB and Curr

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