IRLHM620 Todos los transistores

 

IRLHM620 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLHM620
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: PQFN3.3X3.3
 

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IRLHM620 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  international rectifier
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IRLHM620

PD - 97565AIRLHM620PbFHEXFET Power MOSFETVDS20 VVGS max12 VD 5 4 GRDS(on) max 2.5 m D 6 3 S(@VGS = 4.5V)D 7 2 SRDS(on) max D 8 1 S3.5 m(@VGS = 2.5V)3.3mm x 3.3mm PQFNQg (typical) 52 nCID 40 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Secondary Side Synchronous Rectification MOSFETFeatures and Benefi

 8.1. Size:533K  1
 irlhm630trpbf.pdf pdf_icon

IRLHM620

IRLHM630PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 30 V VGS 12 V RDS(on) max 3.5 (@ VGS = 4.5V) m(@ VGS = 2.5V) 4.5 Qg (typical) 41 nC ID 40 APQFN 3.3 x 3.3 mm (@TC (Bottom) = 25C) Applications Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Secondary Side Synchronous Rectification MOSFET Features Benefits Low RDSon (

 8.2. Size:533K  international rectifier
 irlhm630pbf.pdf pdf_icon

IRLHM620

IRLHM630PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 30 V VGS 12 V RDS(on) max 3.5 (@ VGS = 4.5V) m(@ VGS = 2.5V) 4.5 Qg (typical) 41 nC ID 40 APQFN 3.3 x 3.3 mm (@TC (Bottom) = 25C) Applications Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Secondary Side Synchronous Rectification MOSFET Features Benefits Low RDSon (

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History: NCEP01ND35AG

 

 
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