IRLHM620 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLHM620
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
Encapsulados: PQFN3.3X3.3
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IRLHM620 datasheet
irlhm620pbf.pdf
PD - 97565A IRLHM620PbF HEXFET Power MOSFET VDS 20 V VGS max 12 V D 5 4 G RDS(on) max 2.5 m D 6 3 S (@VGS = 4.5V) D 7 2 S RDS(on) max D 8 1 S 3.5 m (@VGS = 2.5V) 3.3mm x 3.3mm PQFN Qg (typical) 52 nC ID 40 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Secondary Side Synchronous Rectification MOSFET Features and Benefi
irlhm630trpbf.pdf
IRLHM630PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 30 V VGS 12 V RDS(on) max 3.5 (@ VGS = 4.5V) m (@ VGS = 2.5V) 4.5 Qg (typical) 41 nC ID 40 A PQFN 3.3 x 3.3 mm (@TC (Bottom) = 25 C) Applications Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Secondary Side Synchronous Rectification MOSFET Features Benefits Low RDSon (
irlhm630pbf.pdf
IRLHM630PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 30 V VGS 12 V RDS(on) max 3.5 (@ VGS = 4.5V) m (@ VGS = 2.5V) 4.5 Qg (typical) 41 nC ID 40 A PQFN 3.3 x 3.3 mm (@TC (Bottom) = 25 C) Applications Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Secondary Side Synchronous Rectification MOSFET Features Benefits Low RDSon (
Otros transistores... IRLB3813 , IRLB4030 , IRLB8721 , IRLB8743 , IRLB8748 , IRLH5030 , IRLH5034 , IRLH5036 , IRF3710 , IRLHM630 , IRLHS6242 , IRLHS6342 , IRLL024Z , IRLML0030 , IRLML0040 , IRLML0060 , IRLML0100 .
History: AUIRF1010EZ | IRL8113S | IRLB3036G | AUIRF3504 | IRLML0060 | AUIRF1018E | AUIRF3205ZS
History: AUIRF1010EZ | IRL8113S | IRLB3036G | AUIRF3504 | IRLML0060 | AUIRF1018E | AUIRF3205ZS
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Liste
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