IRLML0100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRLML0100
   Código: K*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRLML0100

IRLML0100 Datasheet (PDF)

..1. Size:178K international rectifier
irlml0100pbf.pdf

PD - 97157IRLML0100TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS100 VG 1VGS Max 16 VRDS(on) max 3 D220 m(@VGS = 10V)S 2RDS(on) max Micro3TM (SOT-23)235 mIRLML0100TRPbF(@VGS = 4.5V)Application(s) Load/ System SwitchFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesIndustry-standard pinout Multi-vendor compatibilityCompatible with existing Surface Mount Techniques results in

..2. Size:1950K kexin
irlml0100.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETIRLML0100 (KRLML0100)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features VDS (V) = 100V ID = 1.6A (VGS = 10V)1 2+0.02+0.1 RDS(ON) 220m (VGS = 10V) 0.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.2G 1 RDS(ON) 235m (VGS = 4.5V)3 D1. Gate2. SourceS 23. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Param

0.1. Size:204K international rectifier
irlml0100trpbf-1.pdf

IRLML0100PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 100 VRDS(on) max G 1220 m(@V = 10V)GSQg (typical) 2.5 nC3 DID 1.6 A(@T = 25C)AS 2Micro3TM (SOT-23)Features BenefitsIndustry-standard pinout SOT-23 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Compliant, Halogen-Free Environmentally FriendlierMSL

0.2. Size:175K international rectifier
irlml0100trpbf.pdf

0.3. Size:178K infineon
irlml0100trpbf.pdf

0.4. Size:1939K kexin
irlml0100-23.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETIRLML0100 (KRLML0100)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) = 100V ID = 1.6A (VGS = 10V)1 2+0.1+0.05 RDS(ON) 220m (VGS = 10V) 0.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.1G 1 RDS(ON) 235m (VGS = 4.5V)3 D1. Gate2. Source3. DrainS 2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter S

0.5. Size:1743K cn vbsemi
irlml0100trpbf.pdf

IRLML0100TRPBFwww.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested0.240 at VGS = 10 V 2.0 Material categorization:0.250 at VGS = 6 V100 1.8 2.9 nC0.260 at VGS = 4.5 V1.7APPLICATIONS DC/DC Converters Load Switch LED Backl

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: