IRLP3034 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLP3034
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 341 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 327 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 108 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 827 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1980 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247AC
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRLP3034
IRLP3034 Datasheet (PDF)
irlp3034pbf.pdf
PD - 96230IRLP3034PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDl DC Motor DriveVDSS 40Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ.1.4ml Uninterruptible Power Supply max. 1.7ml High Speed Power SwitchingGID (Silicon Limited) 327Al Hard Switched and High Frequency CircuitsSID (Package Limited) 195ABenefitsl Optimized for Logic Level Drive D
irlp3034.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRLP3034IIRLP3034FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)1.7mEnhancement mode:Vth =1.0 to 2.5V (VDS=VGS, ID=250A)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterru
irlp3803.pdf
PD - _____IRLP3803PRELIMINARYHEXFET Power MOSFETLogic-Level Gate DriveAdvanced Process TechnologyVDSS = 30VUltra Low On-ResistanceDynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.006175C Operating TemperatureFast SwitchingFully Avalanche RatedID = 120ADescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve thelowe
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Liste
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