2N6794JANT Todos los transistores

 

2N6794JANT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N6794JANT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO205AF
 

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2N6794JANT PDF Specs

 8.1. Size:230K  international rectifier
2n6794u.pdf pdf_icon

2N6794JANT

PD - 93986A IRFE420 JANTX2N6794U REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTXV2N6794U HEXFET TRANSISTORS REF MIL-PRF-19500/555 SURFACE MOUNT (LCC-18) 500V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFE420 500V 3.0 1.4A LCC-18 The leadless chip carrier (LCC) package represents the logical next step in the continual evolution of surface Features mount technology.... See More ⇒

 8.2. Size:128K  international rectifier
2n6794 irff420.pdf pdf_icon

2N6794JANT

PD - 90429C IRFF420 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6794 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6794 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/555 500V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF420 500V 3.0 1.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing... See More ⇒

 8.3. Size:23K  semelab
2n6794.pdf pdf_icon

2N6794JANT

2N6794 SEME LAB MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET BVDSS 500V ID(cont) 1.5 RDS(on) 3.0 FEATURES ! AVALANCHE ENERGY RATED ... See More ⇒

Otros transistores... 2N6792JANT , 2N6792JANTX , 2N6792JANTXV , 2N6792SM , 2N6793 , 2N6793LCC4 , 2N6793-SM , 2N6794 , 2N7002 , 2N6794JANTX , 2N6794JANTXV , 2N6794SM , 2N6795 , 2N6795-SM , 2N6796 , 2N6796JANTX , 2N6796JANTXV .

 

 
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