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2N6794JANT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6794JANT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 20 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 600 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 3 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO205AF

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N6794JANT

 

2N6794JANT Datasheet (PDF)

4.1. 2n6794u.pdf Size:230K _update-mosfet

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PD - 93986A IRFE420 JANTX2N6794U REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTXV2N6794U HEXFET®TRANSISTORS REF:MIL-PRF-19500/555 SURFACE MOUNT (LCC-18) 500V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFE420 500V 3.0Ω 1.4A LCC-18 The leadless chip carrier (LCC) package represents the logical next step in the continual evolution of surface Features: mount technology.

4.2. 2n6794 irff420.pdf Size:128K _international_rectifier

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PD - 90429C IRFF420 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6794 HEXFET?TRANSISTORS JANTXV2N6794 THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/555 500V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF420 500V 3.0? 1.5A The HEXFET?technology is the key to International Rectifiers advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this la

 4.3. 2n6794.pdf Size:23K _semelab

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2N6794 SEME LAB MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) NCHANNEL POWER MOSFET BVDSS 500V ID(cont) 1.5 RDS(on) 3.0 FEATURES ! AVALANCHE ENERGY RATED

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