AUIRF2903Z Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AUIRF2903Z 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 290 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 260 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1980 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm
Encapsulados: TO220AB
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AUIRF2903Z datasheet
auirf2903z.pdf
AUTOMOTIVE GRADE AUIRF2903Z Features HEXFET Power MOSFET Advanced Planar Technology VDSS 30V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 1.9m 175 C Operating Temperature max. 2.4m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Silicon Limited) 260A Lead-Free, RoHS Compliant ID (Package Limited) 160A Automotive Qu
auirf2903zs auirf2903zl.pdf
AUIRF2903ZS AUTOMOTIVE GRADE AUIRF2903ZL Features VDSS 30V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 1.9m Ultra Low On-Resistance max. 2.4m 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 235A Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 160A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualifie
auirf2907zs-7p.pdf
PD - 96321 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF2907ZS-7P HEXFET Power MOSFET Features D V(BR)DSS 75V l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 3.0m l 175 C Operating Temperature G l Fast Switching max. 3.8m S l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S (Pin 2, 3, 5, 6, 7) ID (Silicon Limited) 180A l Lead-Free, RoHS Compliant G (Pin 1) l Automot
auirf2907z.pdf
PD - 97545 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF2907Z HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology D V(BR)DSS 75V Ultra Low On-Resistance 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 4.5m Fast Switching G Repetitive Avalanche Allowed up to ID (Silicon Limited) 170A Tjmax S ID (Package Limited) 75A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified *
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: AP3401AI | IPZ40N04S5-5R4
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