BFC50 Todos los transistores

 

BFC50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFC50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2380 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm

Encapsulados: TO247

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BFC50 datasheet

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 bfc505 2.pdf pdf_icon

BFC50

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFC505 NPN wideband cascode transistor 1996 Oct 08 Product specification Supersedes data of 1995 Sep 01 File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN wideband cascode transistor BFC505 FEATURES PINNING - SOT353 Small size PIN SYMBOL DESCRIPTION High power gain at low bias current and high 1b2 b

Otros transistores... BFC42 , BFC43 , BFC44 , BFC45 , BFC46 , BFC47 , BFC48 , BFC49 , IRF9540 , BFC51 , BFC52 , BFC61 , BFC62 , BFC63 , BFR30 , BFR31 , BFR84 .

 

 

 

 

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