BFC50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BFC50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2380 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BFC50

BFC50 Datasheet (PDF)

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bfc505 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFC505NPN wideband cascode transistor1996 Oct 08Product specificationSupersedes data of 1995 Sep 01File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN wideband cascode transistor BFC505FEATURES PINNING - SOT353 Small sizePIN SYMBOL DESCRIPTION High power gain at low bias current and high1b2 b

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