BFC50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BFC50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 310 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 23 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Выходная емкость (Cd): 2380 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.25 Ohm
Тип корпуса: TO247
BFC50 Datasheet (PDF)
0.1. Size:65K philips
bfc505 2.pdf
bfc505 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFC505NPN wideband cascode transistor1996 Oct 08Product specificationSupersedes data of 1995 Sep 01File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN wideband cascode transistor BFC505FEATURES PINNING - SOT353 Small sizePIN SYMBOL DESCRIPTION High power gain at low bias current and high1b2 b
Другие MOSFET... BFC42 , BFC43 , BFC44 , BFC45 , BFC46 , BFC47 , BFC48 , BFC49 , 7N65 , BFC51 , BFC52 , BFC61 , BFC62 , BFC63 , BFR30 , BFR31 , BFR84 .
