Справочник MOSFET. BFC50

 

BFC50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BFC50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 83 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2380 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для BFC50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BFC50 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:65K  philips
 bfc505 2.pdf pdf_icon

BFC50

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFC505NPN wideband cascode transistor1996 Oct 08Product specificationSupersedes data of 1995 Sep 01File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN wideband cascode transistor BFC505FEATURES PINNING - SOT353 Small sizePIN SYMBOL DESCRIPTION High power gain at low bias current and high1b2 b

Другие MOSFET... BFC42 , BFC43 , BFC44 , BFC45 , BFC46 , BFC47 , BFC48 , BFC49 , K3569 , BFC51 , BFC52 , BFC61 , BFC62 , BFC63 , BFR30 , BFR31 , BFR84 .

 

 
Back to Top

 


 
.