Справочник MOSFET. BFC50

 

BFC50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BFC50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 83 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2380 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для BFC50

 

 

BFC50 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:65K  philips
 bfc505 2.pdf

BFC50 BFC50

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFC505NPN wideband cascode transistor1996 Oct 08Product specificationSupersedes data of 1995 Sep 01File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN wideband cascode transistor BFC505FEATURES PINNING - SOT353 Small sizePIN SYMBOL DESCRIPTION High power gain at low bias current and high1b2 b

Другие MOSFET... BFC42 , BFC43 , BFC44 , BFC45 , BFC46 , BFC47 , BFC48 , BFC49 , K3569 , BFC51 , BFC52 , BFC61 , BFC62 , BFC63 , BFR30 , BFR31 , BFR84 .

 

 

Back to Top