BFC52 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BFC52
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 180 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Carga de la puerta (Qg): 33 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 740 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.85 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BFC52
BFC52 Datasheet (PDF)
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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFC520NPN wideband cascode transistor1997 Sep 10Product specificationSupersedes data of 1996 Oct 08File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN wideband cascode transistor BFC520FEATURES PINNING - SOT353 Small sizeSYMBOL PIN DESCRIPTION High power gain at low bias current and highb2 1
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