BFC52 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BFC52
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 33 nC
Cossⓘ - Выходная емкость: 740 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO247
BFC52 Datasheet (PDF)
bfc520 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFC520NPN wideband cascode transistor1997 Sep 10Product specificationSupersedes data of 1996 Oct 08File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN wideband cascode transistor BFC520FEATURES PINNING - SOT353 Small sizeSYMBOL PIN DESCRIPTION High power gain at low bias current and highb2 1
Другие MOSFET... BFC44 , BFC45 , BFC46 , BFC47 , BFC48 , BFC49 , BFC50 , BFC51 , SPP20N60C3 , BFC61 , BFC62 , BFC63 , BFR30 , BFR31 , BFR84 , BFS28R , BFT46 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918