AUIRFR4105 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AUIRFR4105
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AUIRFR4105

AUIRFR4105 Datasheet (PDF)

0.1. Size:317K international rectifier
auirfr4105ztr.pdf

PD - 97544AUTOMOTIVE GRADE AUIRFR4105ZAUIRFU4105ZHEXFET Power MOSFETFeaturesD Advanced Process TechnologyV(BR)DSS55V Ultra Low On-Resistance 175C Operating TemperatureRDS(on) max.24.5mG Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax IDS 30A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified *DescriptionDSpecifically de

0.2. Size:238K international rectifier
auirfr4105tr.pdf

PD - 97597AAUTOMOTIVE GRADEAUIRFR4105HEXFET Power MOSFETFeaturesDV(BR)DSS55V Advanced Planar Technology Low On-ResistanceRDS(on) max.45m Dynamic dV/dT RatingGID (Silicon Limited)27A 175C Operating Temperature Fast SwitchingID (Package Limited)20AS Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowedup toTjmax Lead-Free,

0.3. Size:720K infineon
auirfr4105z auirfu4105z.pdf

AUIRFR4105Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRFU4105Z Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance VDSS 55V 175C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) max. 24.5m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant ID 30A Automotive Qualified * D D Description Specifically designed

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History: BUK7E1R9-40E

Liste

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