AUIRFS3107 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AUIRFS3107 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AUIRFS3107

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 370 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 230 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 840 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: TO263

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

AUIRFS3107 datasheet

..1. Size:716K infineon
auirfs3107 auirfsl3107.pdf pdf_icon

AUIRFS3107 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL3107 HEXFET Power MOSFET Features VDSS 75V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 2.5m Ultra Low On-Resistance max. 3.0m Enhanced dV/dT and dI/dT capability 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 230A Fast Switching ID (Package Limited) 195A Repetitive Avalanche Allowed up t

0.1. Size:694K infineon
auirfs3107-7p.pdf pdf_icon

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFS3107-7P HEXFET Power MOSFET Features VDSS 75V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 2.1m Ultra Low On-Resistance max. 2.6m Enhanced dV/dT and dI/dT capability 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 260A Fast Switching ID (Package Limited) 240A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lea

7.1. Size:716K infineon
auirfs3206 auirfsl3206.pdf pdf_icon

AUIRFS3206 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL3206 HEXFET Power MOSFET Features VDSS 60V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 2.4m Ultra Low On-Resistance max. 3.0m Enhanced dV/dT and dI/dT capability 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 210A Fast Switching ID (Package Limited) 120A Repetitive Avalanche Allowed up to Tj

7.2. Size:704K infineon
auirfs3207z auirfsl3207z.pdf pdf_icon