2N6794JANTXV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N6794JANTXV
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Encapsulados: TO205AF
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2N6794JANTXV datasheet
2n6794u.pdf
PD - 93986A IRFE420 JANTX2N6794U REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTXV2N6794U HEXFET TRANSISTORS REF MIL-PRF-19500/555 SURFACE MOUNT (LCC-18) 500V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFE420 500V 3.0 1.4A LCC-18 The leadless chip carrier (LCC) package represents the logical next step in the continual evolution of surface Features mount technology.
2n6794 irff420.pdf
PD - 90429C IRFF420 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6794 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6794 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/555 500V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF420 500V 3.0 1.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing
2n6794.pdf
2N6794 SEME LAB MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET BVDSS 500V ID(cont) 1.5 RDS(on) 3.0 FEATURES ! AVALANCHE ENERGY RATED
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