BS108 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BS108
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
Encapsulados: TO92
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BS108 datasheet
bs108 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BS108 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor April 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC13b Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode vertical BS108 D-MOS transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA Direct interface to C-MOS, TTL, SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT etc. VDS drain
bs108.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 BS108 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor Product specification 2001 May 18 Supersedes data of 1997 Jun 17 Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode BS108 vertical D-MOS transistor FEATURES PINNING - SOT54 Direct interface to C-MOS, TTL, etc. PIN DESCRIPTION High-spee
bs108.pdf
BS108 Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level N-Channel TO-92 http //onsemi.com This MOSFET is designed for high voltage, high speed switching 250 mAMPS applications such as line drivers, relay drivers, CMOS logic, 200 VOLTS microprocessor or TTL to high voltage interface and high voltage display drivers. RDS(on) = 8 W Features N-Channel Low Drive Requirement, VG
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History: BFC49 | TA75339
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