AUIRLR014N Todos los transistores

 

AUIRLR014N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AUIRLR014N
   Código: AULR014N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 28 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 55 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 16 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 7.9(max) nC
   Tiempo de subida (tr): 47 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

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AUIRLR014N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  international rectifier
auirlr014n.pdf

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AUTOMOTIVE GRADEPD - 97740AUIRLR014N Advanced Planar Technology Logic-Level Gate DriveHEXFET Power MOSFET Low On-ResistanceD Dynamic dV/dT RatingV(BR)DSS55V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) max.0.14G Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID 10AS Lead-Free, RoHS Compliant Auto

 7.1. Size:490K  international rectifier
auirlr024n auirlu024n.pdf

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AUIRLR024N AUTOMOTIVE GRADE AUIRLU024N Features HEXFET Power MOSFET Advanced Planar Technology Low On-Resistance VDSS 55V Logic-Level Gate Drive RDS(on) max. 0.065 Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature ID 17A Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D Lead-Free, RoHS Com

 7.2. Size:312K  international rectifier
auirlr024ntr.pdf

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PD- 96348AUTOMOTIVE GRADEAUIRLR024NAUIRLU024NFeatures Advanced Planar TechnologyHEXFET Power MOSFET Low On-ResistanceD Logic-Level Gate DriveV(BR)DSS 55V Dynamic dV/dT Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) max.0.065 Fast SwitchingG Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S ID 17A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qual

 7.3. Size:717K  infineon
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AUIRLR024Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRLU024Z Features HEXFET Power MOSFET Logic Level VDSS 55V Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 46m 175C Operating Temperature Fast Switching max. 58m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 16A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D D De

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