Справочник MOSFET. AUIRLR014N

 

AUIRLR014N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AUIRLR014N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRLR014N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  international rectifier
auirlr014n.pdfpdf_icon

AUIRLR014N

AUTOMOTIVE GRADEPD - 97740AUIRLR014N Advanced Planar Technology Logic-Level Gate DriveHEXFET Power MOSFET Low On-ResistanceD Dynamic dV/dT RatingV(BR)DSS55V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) max.0.14G Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID 10AS Lead-Free, RoHS Compliant Auto

 7.1. Size:490K  international rectifier
auirlr024n auirlu024n.pdfpdf_icon

AUIRLR014N

AUIRLR024N AUTOMOTIVE GRADE AUIRLU024N Features HEXFET Power MOSFET Advanced Planar Technology Low On-Resistance VDSS 55V Logic-Level Gate Drive RDS(on) max. 0.065 Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature ID 17A Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D Lead-Free, RoHS Com

 7.2. Size:312K  international rectifier
auirlr024ntr.pdfpdf_icon

AUIRLR014N

PD- 96348AUTOMOTIVE GRADEAUIRLR024NAUIRLU024NFeatures Advanced Planar TechnologyHEXFET Power MOSFET Low On-ResistanceD Logic-Level Gate DriveV(BR)DSS 55V Dynamic dV/dT Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) max.0.065 Fast SwitchingG Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S ID 17A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qual

 7.3. Size:717K  infineon
auirlr024z auirlu024z.pdfpdf_icon

AUIRLR014N

AUIRLR024Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRLU024Z Features HEXFET Power MOSFET Logic Level VDSS 55V Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 46m 175C Operating Temperature Fast Switching max. 58m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 16A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D D De

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FDMS0309AS | 2SK3117 | NTMD6N03R2

 

 
Back to Top

 


 
.