AUIRLR014N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUIRLR014N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для AUIRLR014N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRLR014N даташит

 ..1. Size:203K  international rectifier
auirlr014n.pdfpdf_icon

AUIRLR014N

AUTOMOTIVE GRADE PD - 97740 AUIRLR014N Advanced Planar Technology Logic-Level Gate Drive HEXFET Power MOSFET Low On-Resistance D Dynamic dV/dT Rating V(BR)DSS 55V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) max. 0.14 G Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 10A S Lead-Free, RoHS Compliant Auto

 7.1. Size:490K  international rectifier
auirlr024n auirlu024n.pdfpdf_icon

AUIRLR014N

AUIRLR024N AUTOMOTIVE GRADE AUIRLU024N Features HEXFET Power MOSFET Advanced Planar Technology Low On-Resistance VDSS 55V Logic-Level Gate Drive RDS(on) max. 0.065 Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature ID 17A Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D Lead-Free, RoHS Com

 7.2. Size:312K  international rectifier
auirlr024ntr.pdfpdf_icon

AUIRLR014N

PD- 96348 AUTOMOTIVE GRADE AUIRLR024N AUIRLU024N Features Advanced Planar Technology HEXFET Power MOSFET Low On-Resistance D Logic-Level Gate Drive V(BR)DSS 55V Dynamic dV/dT Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 0.065 Fast Switching G Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S ID 17A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qual

 7.3. Size:717K  infineon
auirlr024z auirlu024z.pdfpdf_icon

AUIRLR014N

AUIRLR024Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRLU024Z Features HEXFET Power MOSFET Logic Level VDSS 55V Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 46m 175 C Operating Temperature Fast Switching max. 58m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 16A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D D De

Другие IGBT... AUIRL7766M2, AUIRLB3034, AUIRLB3036, AUIRLB4030, AUIRLI2505, AUIRLL014N, AUIRLL024N, AUIRLL2705, 8205A, AUIRLR024N, AUIRLR024Z, AUIRLR120N, AUIRLR2703, AUIRLR2905, AUIRLR2905Z, AUIRLR2908, AUIRLR3105