IRF7701G Todos los transistores

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IRF7701G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7701G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 12 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.011 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSSOP8

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IRF7701G Datasheet (PDF)

1.1. irf7701gpbf.pdf Size:236K _upd

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PD - 96146A IRF7701GPbF HEXFET® Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l P-Channel MOSFET VDSS RDS(on) max ID l Very Small SOIC Package 0.011@VGS = -4.5V -10A l Low Profile (< 1.1mm) -12V 0.015@VGS = -2.5V -8.5A l Available in Tape & Reel 0.022@VGS = -1.8V -7.0A l Lead-Free l Halogen-Free Description HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing

3.1. irf7701.pdf Size:141K _upd

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PD - 93940 IRF7701 HEXFET® Power MOSFET Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET 0.011@VGS = -4.5V -10A Very Small SOIC Package -12V 0.015@VGS = -2.5V -8.5A Low Profile (< 1.1mm) 0.022@VGS = -1.8V -7.0A Available in Tape & Reel Description HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier 1 8 D utilize advanced processing techniques to achieve ex- 2

3.2. irf7701.pdf Size:147K _international_rectifier

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PD - 93940 IRF7701 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET 0.011@VGS = -4.5V -10A Very Small SOIC Package -12V 0.015@VGS = -2.5V -8.5A Low Profile (< 1.1mm) 0.022@VGS = -1.8V -7.0A Available in Tape & Reel Description HEXFET power MOSFETs from International Rectifier 1 8 D utilize advanced processing techniques to achieve ex- 2 7 tr

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