IRF7702 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRF7702 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7702

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1040 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: TSSOP8

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

IRF7702 datasheet

..1. Size:138K international rectifier
irf7702.pdf pdf_icon

PD - 93849C PROVISIONAL IRF7702 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID -1.8V Rated 0.014@VGS = -4.5V -8.0A P-Channel MOSFET -12V 0.019@VGS = -2.5V -7.0A Very Small SOIC Package 0.027@VGS = -1.8V -5.8A Low Profile (

..2. Size:184K international rectifier
irf7702pbf.pdf pdf_icon

PD-96027 IRF7702PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID l -1.8V Rated 0.014@VGS = -4.5V -8.0A l P-Channel MOSFET -12V 0.019@VGS = -2.5V -7.0A l Very Small SOIC Package 0.027@VGS = -1.8V -5.8A l Low Profile (

0.1. Size:227K international rectifier
irf7702gpbf.pdf pdf_icon

PD- 96147 IRF7702GPbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID l -1.8V Rated 0.014@VGS = -4.5V -8.0A l P-Channel MOSFET -12V 0.019@VGS = -2.5V -7.0A l Very Small SOIC Package 0.027@VGS = -1.8V -5.8A l Low Profile (

8.1. Size:141K international rectifier
irf7701.pdf pdf_icon

PD - 93940 IRF7701 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET 0.011@VGS = -4.5V -10A Very Small SOIC Package -12V 0.015@VGS = -2.5V -8.5A Low Profile (