BSN254 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSN254
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
Encapsulados: TO92
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BSN254 datasheet
bsn254 bsn254a cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BSN254 BSN254A N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors April 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC13b Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode vertical BSN254 D-MOS transistors BSN254A DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode Drain-source voltage VDS max.
bsn254.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BSN254 BSN254A N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors April 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC13b Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode vertical BSN254 D-MOS transistors BSN254A DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode Drain-source voltage VDS max.
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