BSN254 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSN254
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de BSN254 MOSFET
BSN254 Datasheet (PDF)
bsn254 bsn254a cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSN254BSN254AN-channel enhancement modevertical D-MOS transistorsApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement mode vertical BSN254D-MOS transistors BSN254ADESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement modeDrain-source voltage VDS max.
bsn254.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSN254BSN254AN-channel enhancement modevertical D-MOS transistorsApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement mode vertical BSN254D-MOS transistors BSN254ADESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement modeDrain-source voltage VDS max.
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History: NCV8401
History: NCV8401
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