BSN254 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSN254
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSN254

BSN254 Datasheet (PDF)

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bsn254 bsn254a cnv 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSN254BSN254AN-channel enhancement modevertical D-MOS transistorsApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement mode vertical BSN254D-MOS transistors BSN254ADESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement modeDrain-source voltage VDS max.

..2. Size:75K philips
bsn254.pdf

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