BSN254 Todos los transistores

 

BSN254 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSN254
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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BSN254 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  philips
 bsn254 bsn254a cnv 2.pdf pdf_icon

BSN254

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSN254BSN254AN-channel enhancement modevertical D-MOS transistorsApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement mode vertical BSN254D-MOS transistors BSN254ADESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement modeDrain-source voltage VDS max.

 ..2. Size:75K  philips
 bsn254.pdf pdf_icon

BSN254

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSN254BSN254AN-channel enhancement modevertical D-MOS transistorsApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement mode vertical BSN254D-MOS transistors BSN254ADESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement modeDrain-source voltage VDS max.

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History: FDP8443F085 | BFC50 | KDS5670 | FDD8882 | IRLU024N | STS6409

 

 
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