BSN254
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BSN254
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 0.3
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Cossⓘ - Выходная емкость: 20
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5
Ohm
Тип корпуса:
TO92
Аналог (замена) для BSN254
BSN254
Datasheet (PDF)
..1. Size:64K philips
bsn254 bsn254a cnv 2.pdf DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSN254BSN254AN-channel enhancement modevertical D-MOS transistorsApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement mode vertical BSN254D-MOS transistors BSN254ADESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement modeDrain-source voltage VDS max.
..2. Size:75K philips
bsn254.pdf DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSN254BSN254AN-channel enhancement modevertical D-MOS transistorsApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement mode vertical BSN254D-MOS transistors BSN254ADESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement modeDrain-source voltage VDS max.
Другие MOSFET... BS107PT
, BS108
, BS170
, BS170F
, BS170P
, BS250F
, BS250P
, BS270
, STP80NF70
, BSN254A
, BSP92
, BSR56
, BSR57
, BSR58
, BSS100
, BSS110
, BSS123
.