Справочник MOSFET. BSN254

 

BSN254 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSN254
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO92
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSN254 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  philips
bsn254 bsn254a cnv 2.pdfpdf_icon

BSN254

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSN254BSN254AN-channel enhancement modevertical D-MOS transistorsApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement mode vertical BSN254D-MOS transistors BSN254ADESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement modeDrain-source voltage VDS max.

 ..2. Size:75K  philips
bsn254.pdfpdf_icon

BSN254

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSN254BSN254AN-channel enhancement modevertical D-MOS transistorsApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement mode vertical BSN254D-MOS transistors BSN254ADESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement modeDrain-source voltage VDS max.

Другие MOSFET... BS107PT , BS108 , BS170 , BS170F , BS170P , BS250F , BS250P , BS270 , AON7506 , BSN254A , BSP92 , BSR56 , BSR57 , BSR58 , BSS100 , BSS110 , BSS123 .

 

 
Back to Top

 


 
.