IRF7726 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7726

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.79 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 341 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm

Encapsulados: MICRO8

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IRF7726 datasheet

 ..1. Size:95K  international rectifier
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IRF7726

PD -94064 IRF7726 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET -30V 0.026@VGS = -10V -7.0A Very Small SOIC Package 0.040@VGS = -4.5V -6.0A Low Profile (

 ..2. Size:128K  international rectifier
irf7726pbf.pdf pdf_icon

IRF7726

PD -95992 IRF7726PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l P-Channel MOSFET VDSS RDS(on) max ID l Very Small SOIC Package -30V 0.026@VGS = -10V -7.0A l Low Profile (

 9.1. Size:228K  1
irf7752g.pdf pdf_icon

IRF7726

PD- 96151A IRF7752GPbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l Dual N-Channel MOSFET VDSS RDS(on) max ID l Very Small SOIC Package 30V 0.030@VGS = 10V 4.6A l Low Profile (

 9.2. Size:226K  1
irf7750g.pdf pdf_icon

IRF7726

PD-96144A IRF7750GPbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l Dual P-Channel MOSFET l Very Small SOIC Package VDSS = -20V l Low Profile (

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