IRF7726. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF7726

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 341 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: MICRO8

Аналог (замена) для IRF7726

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7726 даташит

 ..1. Size:95K  international rectifier
irf7726.pdfpdf_icon

IRF7726

PD -94064 IRF7726 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET -30V 0.026@VGS = -10V -7.0A Very Small SOIC Package 0.040@VGS = -4.5V -6.0A Low Profile (

 ..2. Size:128K  international rectifier
irf7726pbf.pdfpdf_icon

IRF7726

PD -95992 IRF7726PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l P-Channel MOSFET VDSS RDS(on) max ID l Very Small SOIC Package -30V 0.026@VGS = -10V -7.0A l Low Profile (

 9.1. Size:228K  1
irf7752g.pdfpdf_icon

IRF7726

PD- 96151A IRF7752GPbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l Dual N-Channel MOSFET VDSS RDS(on) max ID l Very Small SOIC Package 30V 0.030@VGS = 10V 4.6A l Low Profile (

 9.2. Size:226K  1
irf7750g.pdfpdf_icon

IRF7726

PD-96144A IRF7750GPbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l Dual P-Channel MOSFET l Very Small SOIC Package VDSS = -20V l Low Profile (

Другие IGBT... IRF7702G, IRF7703G, IRF7704, IRF7704G, IRF7705, IRF7705G, IRF7706, IRF7706G, STP65NF06, IRF9310, IRF9317, IRF9321, IRF9328, IRF9332, IRF9333, IRF9335, IRF9388