BSR56 Todos los transistores

 

BSR56 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSR56
   Código: M4_M4p_M4P
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 4 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 25 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de BSR56 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BSR56 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:33K  philips
 bsr56 bsr57 bsr58.pdf pdf_icon

BSR56

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSR56; BSR57; BSR58N-channel FETsApril 1991Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel FETs BSR56; BSR57; BSR58DESCRIPTIONSymmetrical silicon n-channeldepletion type junction field-effecttransistors in a plastic microminiatureenvelope intended for application inth

 ..2. Size:43K  fairchild semi
 bsr56.pdf pdf_icon

BSR56

BSR56N-Channel Low-Frequency Low-Noise 3Amplifier This device is designed for low-power chopper or switching application sourced from process 512SOT-231Mark: M41. Drain 2. Source 3. Gate Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDGO Drain-Gate Voltage 40 VVGSO Gate-Source Voltage - 40 VIGF Forward Gate Current 50 mAPt

Otros transistores... BS170F , BS170P , BS250F , BS250P , BS270 , BSN254 , BSN254A , BSP92 , IRLB4132 , BSR57 , BSR58 , BSS100 , BSS110 , BSS123 , BSS123A , BSS138 , BSS84 .

History: IRFB9N60A | SM6128NSUB

 

 
Back to Top

 


 
.