BSR56. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BSR56
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 25 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для BSR56
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BSR56 даташит
bsr56 bsr57 bsr58.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BSR56; BSR57; BSR58 N-channel FETs April 1991 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel FETs BSR56; BSR57; BSR58 DESCRIPTION Symmetrical silicon n-channel depletion type junction field-effect transistors in a plastic microminiature envelope intended for application in th
bsr56.pdf
BSR56 N-Channel Low-Frequency Low-Noise 3 Amplifier This device is designed for low-power chopper or switching application sourced from process 51 2 SOT-23 1 Mark M4 1. Drain 2. Source 3. Gate Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VDGO Drain-Gate Voltage 40 V VGSO Gate-Source Voltage - 40 V IGF Forward Gate Current 50 mA Pt
Другие MOSFET... BS170F , BS170P , BS250F , BS250P , BS270 , BSN254 , BSN254A , BSP92 , CS150N03A8 , BSR57 , BSR58 , BSS100 , BSS110 , BSS123 , BSS123A , BSS138 , BSS84 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E | ASB65R120EFD | ASB60R150E | ASA80R900E | ASA80R750E | ASA80R290E | ASA70R950E | ASA70R600E | ASA70R380E | ASA70R240E | ASA65R850E | ASA65R550E | ASA65R350E
Popular searches
2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet


