IRFI4020H-117P Todos los transistores

 

IRFI4020H-117P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFI4020H-117P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP-5PIN
 

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IRFI4020H-117P datasheet

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IRFI4020H-117P

PD - 97252 DIGITAL AUDIO MOSFET IRFI4020H-117P Features Key Parameters Integrated half-bridge package VDS 200 V RDS(ON) typ. @ 10V m Reduces the part count by half 80 Qg typ. Facilitates better PCB layout 19 nC Qsw typ. Key parameters optimized for Class-D 6.8 nC audio amplifier applications RG(int) typ. 3.0 Low RDS(ON) for improved efficiency TJ max 150 C

 ..2. Size:200K  international rectifier
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IRFI4020H-117P

PD - 97252 DIGITAL AUDIO MOSFET IRFI4020H-117P Features Key Parameters Integrated half-bridge package VDS 200 V RDS(ON) typ. @ 10V m Reduces the part count by half 80 Qg typ. Facilitates better PCB layout 19 nC Qsw typ. Key parameters optimized for Class-D 6.8 nC audio amplifier applications RG(int) typ. 3.0 Low RDS(ON) for improved efficiency TJ max 150 C

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IRFI4020H-117P

PD - 97254 DIGITAL AUDIO MOSFET IRFI4024H-117P Key Parameters g Features VDS 55 V Integrated half-bridge package RDS(ON) typ. @ 10V m 48 Reduces the part count by half Qg typ. 8.9 nC Facilitates better PCB layout Qsw typ. 4.3 nC Key parameters optimized for Class-D RG(int) typ. 2.3 audio amplifier applications TJ max 150 C Low RDS(ON) for improved

 8.1. Size:290K  1
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IRFI4020H-117P

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