IRFI4020H-117P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFI4020H-117P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: TO220FP-5PIN
Аналог (замена) для IRFI4020H-117P
IRFI4020H-117P Datasheet (PDF)
irfi4020h-117p.pdf

PD - 97252DIGITAL AUDIO MOSFETIRFI4020H-117PFeatures Key Parameters Integrated half-bridge package VDS200 VRDS(ON) typ. @ 10V m Reduces the part count by half 80Qg typ. Facilitates better PCB layout 19 nCQsw typ. Key parameters optimized for Class-D 6.8 nCaudio amplifier applications RG(int) typ. 3.0 Low RDS(ON) for improved efficiency TJ max150 C
irfi4020h-117p.pdf

PD - 97252DIGITAL AUDIO MOSFETIRFI4020H-117PFeatures Key Parameters Integrated half-bridge package VDS200 VRDS(ON) typ. @ 10V m Reduces the part count by half 80Qg typ. Facilitates better PCB layout 19 nCQsw typ. Key parameters optimized for Class-D 6.8 nCaudio amplifier applications RG(int) typ. 3.0 Low RDS(ON) for improved efficiency TJ max150 C
irfi4024h-117p.pdf

PD - 97254DIGITAL AUDIO MOSFETIRFI4024H-117PKey Parameters gFeaturesVDS55 V Integrated half-bridge packageRDS(ON) typ. @ 10V m:48 Reduces the part count by halfQg typ.8.9 nC Facilitates better PCB layoutQsw typ.4.3 nC Key parameters optimized for Class-DRG(int) typ. 2.3 audio amplifier applicationsTJ max150 C Low RDS(ON) for improved
irfi4019h-117p.pdf

PD - 97074AIRFI4019H-117PDIGITAL AUDIO MOSFETFeatures Key Parameters h Integrated Half-Bridge PackageVDS 150 V Reduces the Part Count by Halfm:RDS(ON) typ. @ 10V 80 Facilitates Better PCB LayoutQg typ. 13 nC Key Parameters Optimized for Class-DQsw typ. 4.1 nCAudio Amplifier ApplicationsRG(int) typ. 2.5 Low RDS(ON) for Improved EfficiencyTJ max 150
Другие MOSFET... IRF9956 , IRF7501 , IRFHM792 , IRFI4212H-117P , IRF7380 , IRF6702M2D , IRF7341I , IRF7301 , 10N60 , IRFHM8363 , IRL6372 , IRF9910 , IRF7311 , IRF7313 , IRF7752G , IRF7904 , IRF7303Q .
History: CS5N20A3 | SRC60R017FBT4G | APM6055NU | FDP023N08B | STL10N60M2 | RU30110M | 2SK4227JS
History: CS5N20A3 | SRC60R017FBT4G | APM6055NU | FDP023N08B | STL10N60M2 | RU30110M | 2SK4227JS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458 | a733 transistor | mpsa92 | tip142