IRFI4019HG-117P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFI4019HG-117P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm

Encapsulados: TO220FP-5PIN

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IRFI4019HG-117P datasheet

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IRFI4019HG-117P

PD - 96274 IRFI4019HG-117P DIGITAL AUDIO MOSFET Features Key Parameters Integrated Half-Bridge Package VDS 150 V Reduces the Part Count by Half m RDS(ON) typ. @ 10V 80 Facilitates Better PCB Layout Qg typ. 13 nC Key Parameters Optimized for Class-D Qsw typ. 4.1 nC Audio Amplifier Applications RG(int) typ. 2.5 Low RDS(ON) for Improved Efficiency TJ max 150 C

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IRFI4019HG-117P

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IRFI4019HG-117P

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