IRFI4019HG-117P Todos los transistores

IRFI4019HG-117P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFI4019HG-117P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm

Encapsulados: TO220FP-5PIN

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros