Справочник MOSFET. IRFI4019HG-117P

 

IRFI4019HG-117P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFI4019HG-117P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.9 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP-5PIN
 

 Аналог (замена) для IRFI4019HG-117P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI4019HG-117P Datasheet (PDF)

 0.1. Size:268K  1
 irfi4019hg-117p.pdf pdf_icon

IRFI4019HG-117P

PD - 96274IRFI4019HG-117PDIGITAL AUDIO MOSFETFeatures Key Parameters Integrated Half-Bridge PackageVDS 150 V Reduces the Part Count by HalfmRDS(ON) typ. @ 10V 80 Facilitates Better PCB LayoutQg typ. 13 nC Key Parameters Optimized for Class-DQsw typ. 4.1 nCAudio Amplifier ApplicationsRG(int) typ. 2.5 Low RDS(ON) for Improved EfficiencyTJ max 150 C

 5.1. Size:290K  1
 irfi4019h-117p.pdf pdf_icon

IRFI4019HG-117P

PD - 97074AIRFI4019H-117PDIGITAL AUDIO MOSFETFeatures Key Parameters h Integrated Half-Bridge PackageVDS 150 V Reduces the Part Count by Halfm:RDS(ON) typ. @ 10V 80 Facilitates Better PCB LayoutQg typ. 13 nC Key Parameters Optimized for Class-DQsw typ. 4.1 nCAudio Amplifier ApplicationsRG(int) typ. 2.5 Low RDS(ON) for Improved EfficiencyTJ max 150

 5.2. Size:290K  international rectifier
 irfi4019h-117p.pdf pdf_icon

IRFI4019HG-117P

PD - 97074AIRFI4019H-117PDIGITAL AUDIO MOSFETFeatures Key Parameters h Integrated Half-Bridge PackageVDS 150 V Reduces the Part Count by Halfm:RDS(ON) typ. @ 10V 80 Facilitates Better PCB LayoutQg typ. 13 nC Key Parameters Optimized for Class-DQsw typ. 4.1 nCAudio Amplifier ApplicationsRG(int) typ. 2.5 Low RDS(ON) for Improved EfficiencyTJ max 150

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF7904 , IRF7303Q , IRFH7911 , IRFI4024H-117P , IRF6723M2D , IRFI4019H-117P , IRF8513 , IRF7101 , IRFP260 , IRF7103 , IRLHS6276 , IRF7103Q , IRF7341Q , IRF7905 , IRF7907 , IRF8910 , IRF7351 .

History: SI3457DV | WMO08N65EM | IXCY01N90E | VBZQA80N03 | IRF7101PBF | 8N80B | WML26N60C4

 

 
Back to Top

 


 
.