IRF7351 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF7351
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0178 Ohm
Encapsulados: SO8
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IRF7351 datasheet
irf7351pbf.pdf
PD - 97436 IRF7351PbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max Qg (typ.) l Synchronous Rectifier MOSFET for 17.8m @VGS = 10V 60V 24nC Isolated DC-DC Converters l Low Power Motor Drive Systems 1 8 S1 D1 Benefits 2 7 G1 D1 l Ultra-Low Gate Impedance 3 6 S2 D2 l Fully Characterized Avalanche Voltage 4 5 G2 D2 and Current l 20V VGS Max. Gate Rating SO-8 Top
irf7353d1pbf.pdf
PD - 95251A IRF7353D1PbF FETKY MOSFET / Schottky Diode l Co-packaged HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode 1 8 A K VDSS = 30V l Ideal For Buck Regulator Applications 2 7 A K l N-Channel HEXFET 3 6 RDS(on) = 0.029 l Low VF Schottky Rectifier S D l Generation 5 Technology 4 5 G D l SO-8 Footprint Schottky Vf = 0.39V l Lead-Free Top View Description The FETKY family
irf7353d1.pdf
PD- 91802A IRF7353D1 FETKY MOSFET / Schottky Diode Co-packaged HEXFET Power MOSFET 1 8 A K and Schottky Diode VDSS = 30V 2 7 Ideal For Buck Regulator Applications A K N-Channel HEXFET 3 6 RDS(on) = 0.029 S D Low VF Schottky Rectifier 4 5 G D Generation 5 Technology Schottky Vf = 0.39V SO-8 Footprint Top View Description The FETKY family
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Liste
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