IRF7351 Todos los transistores

 

IRF7351 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF7351
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0178 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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IRF7351 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:282K  international rectifier
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IRF7351

PD - 97436IRF7351PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg (typ.)l Synchronous Rectifier MOSFET for17.8m@VGS = 10V60V 24nCIsolated DC-DC Convertersl Low Power Motor Drive Systems1 8S1 D1Benefits2 7G1 D1l Ultra-Low Gate Impedance3 6S2 D2l Fully Characterized Avalanche Voltage45G2 D2and Currentl 20V VGS Max. Gate RatingSO-8Top

 8.1. Size:134K  international rectifier
 irf7353d1pbf.pdf pdf_icon

IRF7351

PD - 95251AIRF7353D1PbFFETKY MOSFET / Schottky Diodel Co-packaged HEXFET Power MOSFETand Schottky Diode1 8A KVDSS = 30Vl Ideal For Buck Regulator Applications2 7A Kl N-Channel HEXFET3 6 RDS(on) = 0.029l Low VF Schottky RectifierS Dl Generation 5 Technology45G Dl SO-8 Footprint Schottky Vf = 0.39Vl Lead-FreeTop ViewDescriptionThe FETKY family

 8.2. Size:112K  international rectifier
 irf7353d2.pdf pdf_icon

IRF7351

PD- 93809IRF7353D2 FETKY MOSFET / Schottky Diode Co-Pack HEXFET Power MOSFET and1 8A KSchottky DiodeVDSS = 30V2 7 Ideal For Buck Regulator Applications A K N-Channel HEXFET power MOSFET3 6 RDS(on) = 0.029S D Low VF Schottky Rectifier45G D Generation 5 TechnologySchottky VF = 0.52V SO-8 FootprintTop ViewDescriptionThe FETKY

 8.3. Size:170K  international rectifier
 irf7353d1.pdf pdf_icon

IRF7351

PD- 91802AIRF7353D1 FETKY MOSFET / Schottky Diode Co-packaged HEXFET Power MOSFET1 8A Kand Schottky DiodeVDSS = 30V2 7 Ideal For Buck Regulator ApplicationsA K N-Channel HEXFET3 6 RDS(on) = 0.029S D Low VF Schottky Rectifier45G D Generation 5 TechnologySchottky Vf = 0.39V SO-8 FootprintTop ViewDescriptionThe FETKY family

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History: RTQ020N05HZG | IPB60R160P6

 

 
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