BSS100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSS100
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.63 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.22 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 1.4 nC
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSS100
BSS100 Datasheet (PDF)
bss100 bss123.pdf
EI ectri caI Characteri sti cs(TA = 25C unl ess ot herwi se not ed)Sept ember 1996SymbI Parameter Cndi ti ns Type Min Typ Max UnitsOFF CHARACTERI STI CSBVDSS Drai n- Source Breakdown Vol t age VGS = 0 V, ID= 250 A All 100 VBSS100IDSS Zero Gat e Vol t age Drai n Current VDS = 100 V,VGS= 0 V 15 ABSS100 / BSS123VDS = 100 V,VGS= 0 V BSS123 1 AN ChanneI Lgi c LeveI
bss100.pdf
BSS 100SIPMOS Small-Signal Transistor N channel Enhancement mode Logic Level VGS(th) = 0.8...2.0VPin 1 Pin 2 Pin 3S G DType VDS ID RDS(on) Package MarkingBSS 100 100 V 0.22 A 6 TO-92 SS 100Type Ordering Code Tape and Reel InformationBSS 100 Q62702-S499 E6288BSS 100 Q62702-S007 E6296BSS 100 Q62702-S206 E6325Maximum RatingsParameter Symbol Values U
bss101.pdf
BSS 101SIPMOS Small-Signal Transistor N channel Enhancement mode Logic Level VGS(th) = 0.8...2.0VPin 1 Pin 2 Pin 3S G DType VDS ID RDS(on) Package MarkingBSS 101 240 V 0.13 A 16 TO-92 SS 101Type Ordering Code Tape and Reel InformationBSS 101 Q62702-S493 E6288BSS 101 Q62702-S636 E6325Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage
Otros transistores... BS250P , BS270 , BSN254 , BSN254A , BSP92 , BSR56 , BSR57 , BSR58 , AON7506 , BSS110 , BSS123 , BSS123A , BSS138 , BSS84 , BUK100-50DL , BUK100-50GS , BUK101-50DL .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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