Справочник MOSFET. BSS100

 

BSS100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSS100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.22 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: TO92
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BSS100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  fairchild semi
bss100 bss123.pdfpdf_icon

BSS100

EI ectri caI Characteri sti cs(TA = 25C unl ess ot herwi se not ed)Sept ember 1996SymbI Parameter Cndi ti ns Type Min Typ Max UnitsOFF CHARACTERI STI CSBVDSS Drai n- Source Breakdown Vol t age VGS = 0 V, ID= 250 A All 100 VBSS100IDSS Zero Gat e Vol t age Drai n Current VDS = 100 V,VGS= 0 V 15 ABSS100 / BSS123VDS = 100 V,VGS= 0 V BSS123 1 AN ChanneI Lgi c LeveI

 ..2. Size:90K  infineon
bss100.pdfpdf_icon

BSS100

BSS 100SIPMOS Small-Signal Transistor N channel Enhancement mode Logic Level VGS(th) = 0.8...2.0VPin 1 Pin 2 Pin 3S G DType VDS ID RDS(on) Package MarkingBSS 100 100 V 0.22 A 6 TO-92 SS 100Type Ordering Code Tape and Reel InformationBSS 100 Q62702-S499 E6288BSS 100 Q62702-S007 E6296BSS 100 Q62702-S206 E6325Maximum RatingsParameter Symbol Values U

 9.1. Size:90K  infineon
bss101.pdfpdf_icon

BSS100

BSS 101SIPMOS Small-Signal Transistor N channel Enhancement mode Logic Level VGS(th) = 0.8...2.0VPin 1 Pin 2 Pin 3S G DType VDS ID RDS(on) Package MarkingBSS 101 240 V 0.13 A 16 TO-92 SS 101Type Ordering Code Tape and Reel InformationBSS 101 Q62702-S493 E6288BSS 101 Q62702-S636 E6325Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage

Другие MOSFET... BS250P , BS270 , BSN254 , BSN254A , BSP92 , BSR56 , BSR57 , BSR58 , AO3400 , BSS110 , BSS123 , BSS123A , BSS138 , BSS84 , BUK100-50DL , BUK100-50GS , BUK101-50DL .

History: CET04N10 | H5N2004DS

 

 
Back to Top

 


 
.